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| N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二 | |
| 引用本文： | 徐强,徐元森,龙伟.N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二[J].半导体学报,1990,11(9):698-705. |
| 作者姓名： | 徐强 徐元森 龙伟 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金所 上海 (徐强，徐元森)，中国科学院上海冶金所 上海(龙伟) |
| 摘 要： | 本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。 |
| 关 键 词： | 重掺杂 硅氧化 氟化氢 |
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