|
|||||
|
|
| 测量半导体中深中心分布的双相关技术 | |
| 引用本文： | 晏懋洵.测量半导体中深中心分布的双相关技术[J].物理,1982(7). |
| 作者姓名： | 晏懋洵 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 |
| 摘 要： | 自1974年D.V.Lang1]提出深能级瞬态谱技术(DLTS)以来,DLTS已经成为研究半导体中深能级杂质,缺陷(以下统称深中心)的物理性质的广泛使用的有效手段.例如,通过DLTS测量可以得到深中心的浓度、俘获截面、能级位置等.1977年 H.Lefeve和 M.Schulz2]提出了双相关DLTS技术(DDLTS),采用DDLTS技术可以方便地测量半导体中深中心的分布.测量半导体中深中心的分布在许多问题中是很重要的.例如在研究辐射损伤产生的深中心问题中,如果我们测得各个能级在经过不同温度退火过程后的浓度分布,则可判明哪些能级是属于同一个深中心.又如通过测… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |