| 利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的α面GaN中两步AlN缓冲层的优化 |
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| 作者姓名： | 何涛 陈耀 李辉 戴隆贵 王小丽 徐培强 王文新 陈弘 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所凝聚态国家重点实验室,北京,100190 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，科技部"863"计划 |
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| 摘 要： | 采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的α面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究.两步AIN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的α面GaN薄膜.分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用.低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的α面GaN材料.
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| 关 键 词： | GaN 各向异性 X射线衍射 AlN 缓冲层 |
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