| Ti/Al/TiN金属化结构中应力空洞的形成机理 |
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| 引用本文： | 蒋聚小,郑国祥,黄榕旭,宗祥福.Ti/Al/TiN金属化结构中应力空洞的形成机理[J].固体电子学研究与进展,2002,22(4):487-491. |
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| 作者姓名： | 蒋聚小 郑国祥 黄榕旭 宗祥福 |
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| 作者单位： | 1. 复旦大学材料科学系,上海,200433
2. 上海先进半导体制造有限公司,200233 |
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| 摘 要： | 在 VLSI的金属化中 ,应力引起的失效是个引人关注的问题 ,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性。VLSI工艺实践中 ,发现 Ti/Ti N/Ti/Al/Ti N的金属化结构经过热退火后 ,铝条上出现空洞。对于铝空洞形成机理进行了研究与分析 ,发现张应力的释放是空洞的成因 ;而在热退火时 ,作为浸润层的 Ti与 Al反应生成Ti Al3,引入的应力是形成空洞的主导因素
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| 关 键 词： | 应力 空洞 退火 浸润层 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)04-487-05 |
| 修稿时间： | 2001年12月25 |
Analysis of Stress-induced Voiding in Ti/Al/TiN Melallizations |
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| JIANG Juxiao,ZHENG Guoxiang,HUANG Rongxu,ZONG Xiangfu.Analysis of Stress-induced Voiding in Ti/Al/TiN Melallizations[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(4):487-491. |
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| Authors: | JIANG Juxiao ZHENG Guoxiang HUANG Rongxu ZONG Xiangfu |
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| Institution: | JIANG Juxiao 1 ZHENG Guoxiang 1 HUANG Rongxu 2 ZONG Xiangfu 1 |
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| Abstract: | Stress is very important factor in Al metallization. Voids are formed by relaxation of tensile stress which decease reliability of process. Voids form in Al lines after annealing in Ti/TiN/Ti/Al/TiN metallization. Analysing stress induced voiding, it turns out that volume reduction associated with interfacial TiAl 3 formation should be responsible for voiding. |
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| Keywords: | stress voiding anneal wetting layer |
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