| 碳化硅CMOS反相器的特性 |
| |
| 引用本文： | 姬慧莲,杨银堂,郭中和,柴常春,李跃进.碳化硅CMOS反相器的特性[J].半导体学报,2004,25(3):329-332. |
| |
| 作者姓名： | 姬慧莲 杨银堂 郭中和 柴常春 李跃进 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071
(姬慧莲，杨银堂，郭中和，柴常春)，西安电子科技大学微电子研究所 西安710071(李跃进) |
| |
| 摘 要： | 建立了6 H- Si C CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了Si C CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5 μm的6 H- Si C CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1.6 5 7,3.15 6和1.4 70 V,且随着温度的升高而减小.
|
| 关 键 词： | 碳化硅 反相器 模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)03-0329-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月12日 |
Properties of SiC CMOS Inverter |
| |
| Ji Huilian,Yang Yintang,Guo Zhonghe,Chai Changchun and Li Yuejin.Properties of SiC CMOS Inverter[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(3):329-332. |
| |
| Authors: | Ji Huilian Yang Yintang Guo Zhonghe Chai Changchun and Li Yuejin |
| |
| Abstract: | The circuit structure and physical models of 6H-SiC CMOS inverter are built,and the properties are simulated with the use of MEDICI software.The properties of CMOS inverter varying with the operating temperature is summarized,which indicates that the switching threshold,high noise margin and low noise margin of the 1.5 micron channel 6H-SiC CMOS inverter are 1.657,3.156,and 1.470V at room temperature respectively and decrease with the temperature increasing. |
| |
| Keywords: | SiC inverter simulation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
