碳化硅基底改性硅表面的磁流变抛光EI北大核心CSCD |
| |
引用本文: | 白杨,张峰,李龙响,郑立功,张学军.碳化硅基底改性硅表面的磁流变抛光EI北大核心CSCD[J].光学学报,2015(3):308-315. |
| |
作者姓名: | 白杨 张峰 李龙响 郑立功 张学军 |
| |
作者单位: | 1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所130033;2.中国科学院大学100049; |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(61036015);国家973计划(2011CB0132005) |
| |
摘 要: | 为克服传统抛光方法在硅改性的碳化硅表面抛光存在的不足,采用磁流变抛光在精抛光阶段实现面形误差高效去除和快速收敛。基于实际应用中的对磁流变抛光液的需求,提出了磁流变液的性能要求,并配制了适合改性硅表面抛光的磁流变抛光液,检测所配制的抛光液体的流变特性和分散稳定性,证明了液体具有良好的性能。对口径为130 mm(有效口径为120 mm)的硅改性的同轴非球面碳化硅工件进行实际抛光。经过两个周期约3 h的抛光,面形误差均方根(RMS)从0.051λ(λ=632.8 nm)快速收敛至0.012λ,粗糙度Ra达0.618 nm。验证了所配制的磁流变抛光液满足碳化硅基底改性硅表面的抛光需求,证明了磁流变抛光技术在镜面硅改性后精抛光阶段具有独特的优势。
|
关 键 词: | 材料 表面改性硅 碳化硅 精抛光 磁流变抛光 非球面 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|