| 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性 |
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| 引用本文： | 赵鹏程,张振中,姚斌,李炳辉,王双鹏,姜明明,赵东旭,单崇新,刘雷.通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性[J].发光学报,2014,35(4):399-403. |
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| 作者姓名： | 赵鹏程 张振中 姚斌 李炳辉 王双鹏 姜明明 赵东旭 单崇新 刘雷 |
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| 作者单位： | 1. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033;
2. 中国科学院大学, 北京 100049;
3. 吉林大学 物理学院, 吉林 长春 130023 |
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| 基金项目： | 国家“973”计划(2011CB302002,2011CB302005); 国家自然科学基金(10974197, 11104265)资助项目 |
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| 摘 要： | 使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品，由于存在大量的施主缺陷，呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应，在生长过程中，通过周期性补充氧气，形成周期性的富氧气氛，缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明，通过交替生长气氛，氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导，载流子浓度可达到1016 cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。
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| 关 键 词： | 氧化锌 p型掺杂 间歇性补氧 |
| 收稿时间： | 2013/9/25 |
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