电荷转移复合分子晶体TMPD·(TCNQ)_2的电子能带结构及其与NMP·TCNQ和TTF·TCNQ的比较

本文对电荷转移复合分子晶体 TMPD·(TCNQ)_2 的电子能带进行了计算。在计算中将 TMPD 及 TCNQ 分别作为准一维分子柱来处理。所用计算方法为 EHMO/LCAO-MO-CO 方法。计算结果再次证实我们在前文给出的规律,即分子晶体能带的位置由其孤立分子相应分子轨道能级的位置决定,而能带宽度由相邻分子的相应分子轨道间的相互作用决定。本文还对该晶体的能带结构及其与室温电导率的关系进行了讨论,并与 NMP·TCNQ 和 TTF·TCNQ 晶体的进行比较。