| 提拉法生长大尺寸γ-LiAlO2单晶的研究 |
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| 引用本文： | 彭观良,邹军,庄漪,张涟翰,周国清,周圣明,徐军,干福熹.提拉法生长大尺寸γ-LiAlO2单晶的研究[J].人工晶体学报,2005,34(2):278-282,223. |
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| 作者姓名： | 彭观良 邹军 庄漪 张涟翰 周国清 周圣明 徐军 干福熹 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 摘 要： | 由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.
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| 关 键 词： | 晶体生长 提拉法 γ-LiAlO2 外延 GaN 衬底 红外 |
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