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3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物修饰纳米结构TiO2薄膜电极的光电性能研究
作者姓名:郝彦忠  蔡春立
作者单位:(河北科技大学理学院 石家庄 050018);(河北科技大学化学与制药工程学院 石家庄 050018)
摘    要:用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了铟锡导电玻璃(ITO)/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)膜电极以及ITO/TiO2/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)复合膜电极的光电转换性质. 结果表明, CTCHT膜为p-型半导体, 禁带宽度为2.44 eV, 价带位置为-5.73 eV. 研究表明在ITO/TiO2/CTCHT复合膜电极中存在p-n异质结, p-n异质结的存在能够使光生电子和空穴有效的分离, 有效地降低了电荷的反向复合几率, 提高了光电转换效率, CTCHT膜修饰ITO/TiO2电极可使光电流增强, 使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.

关 键 词:TiO2/CTCHT复合膜电极  光电化学  导电聚合物
收稿时间:2005-07-20
修稿时间:2005-10-31
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