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| GaN基激光器多量子阱垒材料的研究 | |
| 引用本文： | 陈伟华,廖辉,胡晓东,李睿,贾全杰,金元浩,杜为民,杨志坚,张国义. GaN基激光器多量子阱垒材料的研究[J]. 光谱学与光谱分析, 2009, 29(6): 1441-1444. DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2009)06-1441-04 |
| 作者姓名： | 陈伟华 廖辉 胡晓东 李睿 贾全杰 金元浩 杜为民 杨志坚 张国义 |
| 作者单位： | 人工傲结构与介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京,100871;中国科学院高能物理研究所,北京,100039;北京大学现代光学研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重大科学研究计划项目 |
| 摘 要： | 在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构, 并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射，电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明，相对于GaN垒材料，InGaN垒材料，AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量，提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为：组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加，阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力，减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场，电子空穴波函数空间交叠得以加强，使得辐射复合增加。 |
| 关 键 词： | CaN基激光器 多量子阱(MQWs) AlInGaN 垒材料 |
| 收稿时间： | 2008-05-10 |
Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes |
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| CHEN Wei-hua,LIAO Hui,HU Xiao-dong,LI Rui,JIA Quan-jie,JIN Yuan-hao,DU Wei-min,YANG Zhi-jian,ZHANG Guo-yi. Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2009, 29(6): 1441-1444. DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2009)06-1441-04 | |
| Authors: | CHEN Wei-hua LIAO Hui HU Xiao-dong LI Rui JIA Quan-jie JIN Yuan-hao DU Wei-min YANG Zhi-jian ZHANG Guo-yi |
| Affiliation: | 1. State Key Laboratory for Mesoscopic Physics and School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China2. Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China3. Institute of Modern Optics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China |
| Abstract: | InGaN/GaN,InGaN/InGaN and InGaN/AlInGaN multiquantum-well(MQW) laser diodes(LDs) were grown on(0001) sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).The GaN(0002) synchrotron X-ray diffraction(XRD),electroluminescence(EL) and optical power-current(L-I) measurement reveal that AlInGaN quaternary alloys as barriers in MQWs can improve the crystal quality,optical emission performance,threshold current and slope efficiency of the laser diode structure to a large extent compared with other ba... |
| Keywords: | AlInGaN |
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