| (AlAs)_3(GeGe)_3(001)超晶格体内的自建电场 |
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| 引用本文： | 王仁智,黄美纯,郑永梅.(AlAs)_3(GeGe)_3(001)超晶格体内的自建电场[J].厦门大学学报(自然科学版),1993(3). |
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| 作者姓名： | 王仁智 黄美纯 郑永梅 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系
(王仁智，黄美纯)，厦门大学物理学系(郑永梅) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在(AlAs)_3(GeGe)_1(001)超晶格的LMTO-ASA能带计算的基础上,采用“冻结势方法”,计算了超晶格中各个分子层的平均键能E_和价带边E_,揭示了超晶格体内自建电场与界面电荷的关系。
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| 关 键 词： | 超晶格 自建电场 |
The Internal Electric Fields in (AlAs)_3(GeGe)_3(001) Superlattices |
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| Wang Renzhi Huang Meichun Zheng Yongmei.The Internal Electric Fields in (AlAs)_3(GeGe)_3(001) Superlattices[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1993(3). |
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| Authors: | Wang Renzhi Huang Meichun Zheng Yongmei |
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| Institution: | Dept. of Phys. |
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| Abstract: | On the basis of the superlattice band-structure calculations of (AlAs)3 (GeGe)3(001) with the linear-muffin-tin-obital (LMTO) method, the average band-anti-bond energy E. and the valence-band edges E. in every molecular layer of superlattice were calculated by the frozen-potential method. The internal electric fields that result from the charge separation at the interfaces in superlattices are discussed. |
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| Keywords: | Superlattice Internal electric field |
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