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| 偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响 | |
| 引用本文： | 杨平,冯贤平,施芸城,闫永辉.偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响[J].物理实验,2005,25(12):15-19. |
| 作者姓名： | 杨平 冯贤平 施芸城 闫永辉 |
| 作者单位： | 1. 东华大学,材料科学与工程学院,上海,200051 2. 波多黎各大学,物理系,圣胡安,00931-3343 3. 东华大学,物理系,上海,200051 |
| 基金项目： | 上海市科学技术发展基金项目（No,0252nm 110）教育部科学技术研究重点项目（No.03077）,波多黎各大学启动基金 |
| 摘 要： | 利用空心阴极放电等离子体源在Si（100）单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜．薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑，用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究．在拉曼光谱中可以看到典型的G，D和C=N键的峰．当偏压为250V时．薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失，此时薄膜的N／C比达到了0．81．通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C—C，sp^2 CN和sp^3 CN键的组分也发生了明显的变化．当偏压为250V时薄膜的sp^3 CN相的含量达到了最大值为40％，同时氮含量也达到了最大值．实验结果给出了直接的证据：薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制． |
| 关 键 词： | 氮化碳薄膜 直流空心阴极放电 偏压 |
| 文章编号： | 1005-4642（2005）12-0015-05 |
| 收稿时间： | 2005-01-18 |
| 修稿时间： | 2005-04-25 |
Effect of bias voltage on the formation of CNx films in hollow cathode type discharge plasma sputtering techniques |
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| YANG Ping,FENG Xian-ping,SHI Yun-cheng,YAN Yong-hui.Effect of bias voltage on the formation of CNx films in hollow cathode type discharge plasma sputtering techniques[J].Physics Experimentation,2005,25(12):15-19. | |
| Authors: | YANG Ping FENG Xian-ping SHI Yun-cheng YAN Yong-hui |
| Institution: | 1. College of Material Science and Engineering, Dong Hua University, Shanghai 200051, China; 2. Department of Physics, University of Puerto Rico, San Juan 00931-3343, USA; 3. Department of Physics, Dong Hua University, Shanghai 200051, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | CN film DC-HCD bias voltage |
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