| Si6N2团簇结构与性质的密度泛函理论研究 |
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| 作者姓名： | 张材荣 陈玉红 蒲忠胜 王道斌 元丽华 许广济 陈宏善 |
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| 作者单位： | [1]兰州理工大学理学院,兰州730050 [2]兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室,兰州730050 [3]西北师范大学物理与电子工程学院,兰州730070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（10647006,10547007）;甘肃省自然科学基金（3ZS042-B25-023）;兰州理工大学硕士基金（SB10200415） |
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| 摘 要： | 用密度泛函理论（DFT）中的杂化密度泛函B3LYP方法，在6—31G（d）的水平上对Si6N2团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算，得到了16个可能的异构体．Si6N2团簇的最稳定结构是有4个Si-N键和4个Si—Si键的三维结构．自然键轨道方法分析成键性质的结果表明，Si—N键中Si原子向N原子有较大的电荷转移，因此Si-N原子间有较强的电相互作用；最强的IR和Raman谱峰分别位于1359．14cm^-1和1366．29cm^-1处；并计算了Si6N2团簇的最稳定结构的极化率和超极化率．
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| 关 键 词： | 氮化硅 团簇 结构与性质 密度泛函理论 |
| 文章编号： | 1000-0364（2007）增刊-099-03 |
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