触发区域宽度对砷化镓光导开关输出特性影响 |
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作者姓名: | 陈红 韦金红 曾凡正 贾成林 付泽斌 李嵩 钱宝良 |
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作者单位: | 国防科技大学前沿交叉学科学院 |
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基金项目: | 脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL 2021KF05); |
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摘 要: | 基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超快速导通模式。基于此,研究了触发区域宽度对PCSS输出特性影响,结果表明,宽度变大会促进载流子密度急剧倍增和雪崩电离畴的快速演化,缩短PCSS的延迟时间和导通时间。研究分析了不同触发位置对延迟时间与导通时间影响,结果表明,阴极触发的延迟时间明显低于阳极触发,而导通时间受触发位置的影响不显著。
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关 键 词: | 砷化镓 光电导半导体开关 异面电极 雪崩电离畴 超快速导通 |
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