Spectrographic estimation of Ga, In and Tl in semiconductor grade selenium |
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Authors: | T. R. Bangia and B. D. Joshi |
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Affiliation: | (1) Radiochemistry Division, Bhabha Atomic Research Centre, 400085 Trombay, Bombay, India |
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Abstract: | Summary An emission spectrographic method for the estimation of Ga, In and Tl in semiconductor grade selenium at less than a ppm concentration has been developed. The impurities were separated from 1 g of selenium by volatilizing it from its solution in nitric acid and sulphuric acid. The residue containing the impurities was dissolved in small amounts of 6 M HCl and was loaded along with the washings on 10 mg mixture containing graphite (90%) and sodium chloride carrier (10%) in the electrode crater. The spectra were excited in a d.c. arc carrying 13 A current. The detection limits lie in the range of 0.0025–0.005 ppm. The precision of the method ranges from 7–12% for these elements. The recoveries of impurities from selenium were confirmed using radioactive tracers.
Spektrographische Bestimmung von Gallium, Indium und Thallium in Halbleiterselen Zusammenfassung Eine 1 g-Probe wird in Salpeter- und Schwefelsäure gelöst und die Verunreinigungen durch Verflüchtigung des Selens isoliert. Sie werden in 6 M HCl gelöst und zusammen mit einem Graphit/NaCl-Gemisch (9 1) in die Elektrode eingebracht. Zur Anregung dient ein Gleichstrombogen (13 A). Die Nachweisgrenzen liegen im Bereich von 0.0025–0.005 ppm, der Variationskoeffizient bei 7–12%. Die Wiedergewinnung der Verunreinigungen wurde mit Hilfe von Radioindicatoren geprüft. |
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Keywords: | Best. von Gallium, Indium, Thallium in Selen, Halbleitern Spektrographie, Emission |
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