| 用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成(英文) |
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| 引用本文： | 张志明,李国文,马於光,吴芳,田文晶,沈家骢.用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成(英文)[J].有机化学,2000(4). |
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| 作者姓名： | 张志明 李国文 马於光 吴芳 田文晶 沈家骢 |
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| 作者单位： | 吉林大学超分子结构与谱学开放实验室，吉林大学超分子结构与谱学开放实验室，吉林大学超分子结构与谱学开放实验室，吉林大学超分子结构与谱学开放实验室，吉林大学超分子结构与谱学开放实验室，吉林大学超分子结构与谱学开放实验室 长春 130023，长春 130023，长春 130023，长春 130023，长春 130023，长春 130023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(课题号:597905006) |
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| 摘 要： | 在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10~(-4)cm~2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。
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| 关 键 词： | 电子传输材料 噻吩 噁二唑 电子亲和势 电子迁移率 |
Synthesis of Novel Oxadiazole Dimer Derivatives containing Thiophene Ring as Electron Transfer Materials in OEL Devices |
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| ZHANG Zhi - Ming,LI Guo - Wen,MA Yu - Guang,WU Fang,HAN Wen - Jing,SHEN Jia - Cong.Synthesis of Novel Oxadiazole Dimer Derivatives containing Thiophene Ring as Electron Transfer Materials in OEL Devices[J].Chinese Journal of Organic Chemistry,2000(4). |
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| Authors: | ZHANG Zhi - Ming LI Guo - Wen MA Yu - Guang WU Fang HAN Wen - Jing SHEN Jia - Cong |
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| Abstract: | A series of novel oxadiazole dimer derivatives incorporated thiophene ring has been prepared as electron transport layer in organic electronluminescent (OEL) devices. Their structures and properties were confirmed by 1H NMR, UV and fluorescence spectra. The results of cyclic voltammetry measurements showed that they were good materials for the electron transfer and blue light emission. |
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| Keywords: | electron transfer materials thiophene oxadiazole electron affinity mobility |
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