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| A1GaN／GaN MSM紫外探测器特性 | |
| 引用本文： | 周劲,郝一龙,武国英,杨志坚,张国义.A1GaN／GaN MSM紫外探测器特性[J].红外,2005,48(6):1-5. |
| 作者姓名： | 周劲 郝一龙 武国英 杨志坚 张国义 |
| 作者单位： | [1]北京大学微电子所，北京，100871 [2]北京大学物理系，北京，100871 |
| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上，用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN／GaN异质结样品。溅射Ti／Al／Ni／Au和Ni／Au金属膜，在氮气气氛中高温快速退火，分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触。随着退火时间的增加，金属一半导体金属(MSM)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性，但C-V曲线逐渐失去其对称性。MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性，出现明显的光电导增益效应。 |
| 关 键 词： | 肖特基 紫外响应曲线 MSM 氮化镓 紫外探测器 |
| 修稿时间： | 2005年1月14日 |
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