| Al掺杂Mg_2Ge光电性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 姚秋原,谢泉,周卢玉,余宏,侯亮亮. Al掺杂Mg_2Ge光电性质的第一性原理计算[J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37(4): 618-624 |
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| 作者姓名： | 姚秋原 谢泉 周卢玉 余宏 侯亮亮 |
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| 作者单位： | 贵州大学,贵州大学,贵州大学,贵州大学 |
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| 摘 要： | 应用密度泛函理论框架下的第一性原理超软赝势平面波方法系统地计算了不同Al掺杂浓度下Mg_2Ge的电子结构及光学性质.建立了四种Mg_(2-x)Al_xGe(x=0,0.125,0.25,0.5)的掺杂模型,计算结果表示Al掺杂后的Mg_2Ge,费米能级进入导带,呈现出n型导电特性,掺杂后本征Mg_2Ge费米能级附近的导带架构发生了改变,变为主要由Al的3p态电子、Ge的4s态电子和Mg的3s、3p态电子组成;静介电常数ε_1(0)和折射率n_0均增大;吸收光谱发生红移,吸收系数最大值略微减小;光电导率峰值在x=0.125时取得极大值;能量损失函数发生蓝移且x=0.125时蓝移现象最为明显.
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| 关 键 词： | Mg2Ge；第一性原理；电子结构；光电性质；Al掺杂； |
| 收稿时间： | 2019-12-26 |
| 修稿时间： | 2020-01-07 |
First-principles calculations of the photoelectric properties of Al doped Mg2Ge |
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| Yao Qiu-Yuan,Xie Quan,Zhou Lu-Yu,Yu Hong and Hou Liang-Liang. First-principles calculations of the photoelectric properties of Al doped Mg2Ge[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2020, 37(4): 618-624 |
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| Authors: | Yao Qiu-Yuan Xie Quan Zhou Lu-Yu Yu Hong Hou Liang-Liang |
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| Affiliation: | Guizhou University,Guizhou University,Guizhou University,Guizhou University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg2Ge First principle Electron structure Photoelectric properties Al-doped |
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