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| SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析 | |
| 引用本文： | 徐宝琨,赵慕愚.SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析[J].半导体学报,1984,5(3):247-256. |
| 作者姓名： | 徐宝琨 赵慕愚 |
| 作者单位： | 吉林大学 (徐宝琨)，吉林大学(赵慕愚) |
| 摘 要： | 本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义. |
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