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嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的近藤效应
作者姓名:吴绍全  孙威立  余万伦  王顺金
作者单位:(1)成都信息工程学院,成都 610030; (2)四川大学物理系,成都 610034; (3)四川师范大学物理系,成都 610068
基金项目:四川省应用基础研究基金资助项目(批准号:02GY029-188)和四川省教育厅自然科学研究基金资助项目(批准号:2003A0780)资助的课题.
摘    要:使用单杂质的Ansderson模型, 从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov-Bohm环系统处在 近藤区时的基态性质, 并用slave-boson平均场方法求解了该模型.结果表明:在零温, 当介 观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时, 系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系 统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统 丰富的物理性质.同时, 可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率, 达到探测近藤屏 蔽云的目的. 关键词: 持续电流 杂质磁化率 宇称效应 近藤效应 近藤屏蔽云

关 键 词:持续电流  杂质磁化率  宇称效应  近藤效应  近藤屏蔽云
文章编号:1000-3290/2005/54(06)2910-08
收稿时间:2004-08-06
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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