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| 掺钯硅快恢复二极管VF～TRR兼容性研究 | |
| 引用本文： | 廖勇明,杨仕钟,陈振,游志朴. 掺钯硅快恢复二极管VF～TRR兼容性研究[J]. 四川大学学报(自然科学版), 2003, 40(1): 74-76 |
| 作者姓名： | 廖勇明 杨仕钟 陈振 游志朴 |
| 作者单位： | 四川大学物理系,成都,610064 |
| 摘 要： | 作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF－TRR兼容性，得到掺钯硅二极管的VF－TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果；这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合，作者对此进行了分析与讨论，根据实验结果，作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管。 |
| 关 键 词： | 掺钯 硅快恢复二极管 VF－TRR兼容性 反恢复时间 反向漏电流 性能指标 |
| 文章编号： | 0490-6756(2003)01-0074-03 |
Study on VF～TRR Tradeoff of Palladium Doped Fast Recovery Silicon Diode |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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