首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部专业
化学
晶体学
力学
数学
物理学
学报及综合类
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
SiGe器件及其研究综述
引用本文:
孙自敏,董志伟.SiGe器件及其研究综述[J].半导体情报,1999,36(1):17-21.
作者姓名:
孙自敏
董志伟
摘 要:
阐述了SiGe器件的主要研究方向以及国内外对SiGe材料和器件的研究情况,并对SiGe器件与Si器件和GaAs器件的发展前景进行了比较。
关 键 词:
SiGe器件
HBT
异质结
晶体管
锗化硅
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号