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氧化镓单晶在酸碱条件下的腐蚀坑形貌研究
作者姓名:高崇  韦金汕  欧阳政  何敬晖  王增辉  卜予哲  赛青林  赵鹏
作者单位:1. 北京中材人工晶体研究院有限公司;2. 中材人工晶体研究院有限公司;3. 华南师范大学半导体科学与技术学院;5. 中材高新材料股份有限公司;6. 中国科学院上海光学精密机械研究所;7. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院
基金项目:国家重点研发计划(2022YFB3605500);;北京市科技新星计划(20230484381);
摘    要:氧化镓晶体材料由于其优异的性能以及可以用熔体法生长的优势,在功率器件、光电领域有着巨大的潜力。近年来,国内外众多专家也随之开展对氧化镓单晶材料的研究工作,高质量低缺陷的氧化镓单晶材料对后续的外延、器件的制备极其重要。目前,国际上主流的生长方法是导模法,导模法具有生长周期短、尺寸大及生长稳定等优点,然而在晶体缺陷控制方面还有很大的进步空间。本文围绕氧化镓单晶的腐蚀坑形貌,对导模法生长的氧化镓单晶进行加工制样,进行了不同酸碱条件下的腐蚀实验。详细介绍了观察到的不同腐蚀坑形貌,分析了晶体缺陷对腐蚀坑形貌的影响,对今后氧化镓单晶生长机理和晶体缺陷的研究具有重要意义。

关 键 词:氧化镓单晶  导模法  缺陷  腐蚀  腐蚀坑形貌  单晶生长
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