超薄硅双面抛光片加工效率的提升

用于5G通信芯片支撑层的超薄硅双面抛光片的生产是一个需要攻克的难题。该产品的技术难点在于，硅片厚度低至100μm，薄如纸张，采用传统粘蜡抛光工艺，加工效率极低且碎片率极高，同时硅片几何参数无法保证，成品率较低。由于磨削工艺可有效减少硅片表面的损伤层、改善几何参数，所以针对超薄硅片的加工，采用贴膜抛光工艺可以保证抛光的效率和成品率。在硅片腐蚀后采用磨削+贴膜抛光的工艺，解决了超薄硅双抛片加工效率低、碎片率高、几何参数难以保证、成品率低的问题。