| 考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析 |
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| 引用本文： | 周守利,崇英哲,黄永清,任晓敏. 考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析[J]. 电子器件, 2004, 27(4): 559-563 |
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| 作者姓名： | 周守利 崇英哲 黄永清 任晓敏 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学66#,北京,100876;北京邮电大学66#,北京,100876;北京邮电大学66#,北京,100876;北京邮电大学66#,北京,100876 |
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| 基金项目： | 国家“973”计划项目 ( 2 0 0 3 CB3 1 490 1 )，高等学校博士学科点专项科研基金 ( 2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 ) |
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| 摘 要： | 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩，从而产生能带变窄效应(BGN)。对于因重掺杂NPN突变A1GaAs／GaAs HBT，而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果，以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于Jain—Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制，对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs／GaAs HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出：为了更好描述电流传输，利用Jain—Roulston的BGN模型，考虑导带、价带突变量的改变依赖于实际掺杂浓度值是必要的。
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| 关 键 词： | 热场发射扩散 能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain-Roulston模型 |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)04-0559-05 |
The Analysis of Currents of AlGaAs/GaAs HBT with Heavy Doping of the Base Including Self-heating Effects |
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| ZHOU Shou-li,CHONG Ying-zhe,HUANG Yong-qing,REN Xiao-min. The Analysis of Currents of AlGaAs/GaAs HBT with Heavy Doping of the Base Including Self-heating Effects[J]. Journal of Electron Devices, 2004, 27(4): 559-563 |
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| Authors: | ZHOU Shou-li CHONG Ying-zhe HUANG Yong-qing REN Xiao-min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thermionic-field-diffusion band gap narrowing(BGN) self-heating effects Jain-Roulston model |
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