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| 具有AIGaAs缓变结构的InGaP／GaAs HBT性能改进分析 | |
| 引用本文： | 周守利,熊德平.具有AIGaAs缓变结构的InGaP／GaAs HBT性能改进分析[J].固体电子学研究与进展,2008,28(3). |
| 作者姓名： | 周守利 熊德平 |
| 作者单位： | [1]浙江工业大学信息学院,杭州310014 [2]广东工业大学物理与光电工程学院,广州510006 |
| 摘 要： | 对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP／AlGaAs／GaAsHBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨，并同传统突变结构的InGaP／GaAsHBT的相应性能作了比较。结果表明：在低于30nm的一定范围内的缓变层厚度下，与突变的InGaP／GaAsHBT相比，改进型结构的InGaP／AlGaAs／GaAsHBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏一安输出特性和高频特性。 |
| 关 键 词： | 铟镓磷／砷化镓 异质结双极晶体管 伏-安输出特性 截止频率 |
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