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| PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究 | |
| 引用本文： | 林媛,许波,赵柏儒,陈金松.PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究[J].低温物理学报,1999,21(1):64-69. |
| 作者姓名： | 林媛 许波 赵柏儒 陈金松 |
| 作者单位： | 1. 中科院物理所超导实验室,北京,100080;中国科技大学物理系,合肥,230026 2. 中科院物理所超导实验室,北京,100080 3. 中国科技大学物理系,合肥,230026 |
| 摘 要： | 利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层，用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究，分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度、退火时间对ＰＺＴ性能的影响 |
| 关 键 词： | 铁电性 复合薄膜 取向生长 PZT 薄膜 |
THE ORIENTED GROWTH AND FERROELECTRIC PROPERTY OF PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si MULTILAYER FILMS |
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| Lin Yuan,Xu Bo,Zhao Bai-ru,Chen Jin-song.THE ORIENTED GROWTH AND FERROELECTRIC PROPERTY OF PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si MULTILAYER FILMS[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,1999,21(1):64-69. | |
| Authors: | Lin Yuan Xu Bo Zhao Bai-ru Chen Jin-song |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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