Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率?… |
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作者姓名: | 赵霞 吴文彬 |
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作者单位: | [1]中国科学技术大学材料科学与工程系 [2]中国科学技术大学结构分子开放研究实验室 |
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摘 要: | 系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)^2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致。在x≥0.19时,ρab(T)在Tc随近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量的增大而增大。ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(△/T)+bT+
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关 键 词: | Gd掺杂 载流子浓度 超导电性 各向异性电阻率 |
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