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| Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？… | |
| 引用本文： | 赵霞,吴文彬.Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…[J].低温物理学报,1999,21(6):468-471. |
| 作者姓名： | 赵霞 吴文彬 |
| 作者单位： | [1]中国科学技术大学材料科学与工程系 [2]中国科学技术大学结构分子开放研究实验室 |
| 摘 要： | 系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ，ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２，并随Ｇｄ含量的增加而下降，这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时，ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为，ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为，并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋ |
| 关 键 词： | Gd掺杂 载流子浓度 超导电性 各向异性电阻率 |
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