| 氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究 |
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| 引用本文： | 薛成山,秦丽霞,庄惠照,陈金华,杨兆柱,李红.氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究[J].微细加工技术,2008(2). |
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| 作者姓名： | 薛成山 秦丽霞 庄惠照 陈金华 杨兆柱 李红 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,半导体研究所,济南,250014 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射技术先在硅村底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在管式炉中通入流动的氨气在950℃对薄膜进行氨化,反应后成功制备出大量GaN纳米线.采用X射线衍射(xRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在50 nm～150 nm范围内,长度为几十微米.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 氮化镓纳米线 钴 X射线衍射 |
Synthesis and Characterization of Large-scale Single Crystalline GaN Nanowires through Ammonification Technique |
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| XUE Cheng-shan,QIN Li-xia,ZHUANG Hui-zhao,CHEN Jin-hua,YANG Zhao-zhu,LI Hong.Synthesis and Characterization of Large-scale Single Crystalline GaN Nanowires through Ammonification Technique[J].Microfabrication Technology,2008(2). |
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| Authors: | XUE Cheng-shan QIN Li-xia ZHUANG Hui-zhao CHEN Jin-hua YANG Zhao-zhu LI Hong |
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| Institution: | XUE Cheng-shan,QIN Li-xia,ZHUANG Hui-zhao,CHEN Jin-hua,YANG Zhao-zhu,LI Hong(Institute of Semiconductors,Shangdong Normal University,Ji\'nan 250014,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering GaN nanowire Co X-ray diffraction |
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