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(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究
引用本文:薛建设,林炜,马瑞新,康勃,吴中亮.(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究[J].液晶与显示,2007,22(5):560-564.
作者姓名:薛建设  林炜  马瑞新  康勃  吴中亮
作者单位:1. 北京京东方光电科技有限公司,北京,100176
2. 北京科技大学,冶金与生态工程学院,北京,100083
基金项目:北京市科委科技计划项目
摘    要:用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2Ω.cm,且可见光段(320~800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3Ω.cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。

关 键 词:氧化锌  透明导电薄膜  电阻率  透光率  射频磁控溅射
文章编号:1007-2780(2007)05-0560-05
收稿时间:2007-03-27
修稿时间:2007-06-14

Structural, Optical and Electrical Properties of Al-Zr Codoped ZnO Transparent Conductive Thin Films
XUE Jian-she,LIN Wei,MA Rui-xin,KANG Bo,WU Zhong-liang.Structural, Optical and Electrical Properties of Al-Zr Codoped ZnO Transparent Conductive Thin Films[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2007,22(5):560-564.
Authors:XUE Jian-she  LIN Wei  MA Rui-xin  KANG Bo  WU Zhong-liang
Abstract:
Keywords:ZnO  transparent conductive thin film  resistivity  transmittance  RF magnetron sputtering
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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