| 热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析 |
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| 引用本文： | 高宇,周旗钢,戴小林,肖清华.热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析[J].人工晶体学报,2007,36(4):832-836,831. |
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| 作者姓名： | 高宇 周旗钢 戴小林 肖清华 |
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| 作者单位： | 1. 北京有色金属研究总院,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088
2. 有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 科技部国际科技合作项目 |
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| 摘 要： | 本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的降低,晶体生长界面趋于平坦,生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降,使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度。
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| 关 键 词： | 模拟 直径300mm硅单晶 热屏 后继加热器 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）04-0832-05 |
| 修稿时间： | 2007-02-252007-04-12 |
Numerical Analysis of the Effects of Heat Shield and Successor Heater on Heat Field of φ300mm Si Single Crystal |
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| GAO Yu,ZHOU Qi-gang,DAI Xiao-lin,XIAO Qing-hua.Numerical Analysis of the Effects of Heat Shield and Successor Heater on Heat Field of φ300mm Si Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(4):832-836,831. |
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| Authors: | GAO Yu ZHOU Qi-gang DAI Xiao-lin XIAO Qing-hua |
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| Institution: | 1.General Research Institute for Nonferrous Metals,Beijing 100088,China;2.GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd,Beijing 100088,China |
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| Abstract: | |
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