Al、S和Te掺杂GaSe晶体的光学及倍频特性

对不同浓度Al、S和Te掺杂GaSe晶体的透过率和倍频特性进行了研究.结果表明,适宜浓度的掺杂晶体在透明波段内吸收系数约为α≤0.1~0.2cm-1,适于非线性应用.GaSe∶S晶体透过率曲线向短波方向移动,且更适于高浓度掺杂,而Al和Te掺杂晶体透明范围的波段截止波长向长波方向移动,且移动幅度小于S掺杂晶体,当掺杂浓度达到GaSe∶Al(0.5mass%)和GaSe∶Te(5mass%)时,晶体光学质量明显下降.通过fs Ti∶Sapphire激光和CO2激光泵浦下I类倍频实验发现,S掺杂晶体相位匹配曲线向短波方向移动,倍频输出功率比纯GaSe晶体有明显提高,最佳掺杂浓度为2mass%.Al和Te掺杂晶体相位匹配角与纯GaSe晶体相比没有明显变化,实验结果与理论曲线符合较好.利用非线性方法研究发现当掺杂浓度不超过5mass%时,GaSe∶Te晶体与纯GaSe同样属于六角形结构.三种掺杂方式最佳掺杂浓度分别为GaSe∶Al(0.1mass%),GaSe∶S(2mass%)和GaSe∶Te(0.5mass%),在CO2激光泵浦下,三者频率转换效率之比约为1∶0.6∶0.5.在所使用的晶体样本中,GaSe∶S(2mass%)晶体性能最佳,其频率转换效率可达纯GaSe晶体的3倍左右.

Optical and Second Harmonic Properties in Al,S and Te Doped GaSe Crystals