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| 低束流Nd3+注入硅基薄膜结构及光致发光的研究 | |
| 引用本文： | 曾宇昕,王水凤,程国安,肖志松,徐飞,元美玲.低束流Nd3+注入硅基薄膜结构及光致发光的研究[J].发光学报,2002,23(4):377-380. |
| 作者姓名： | 曾宇昕 王水凤 程国安 肖志松 徐飞 元美玲 |
| 作者单位： | 1. 南昌大学材料科学工程系 2. 南昌大学物理系,江西南昌,330047 3. 北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束技术与材料改性重点实验室,北京,100875 4. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69766001) |
| 摘 要： | 采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd^3 硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化，样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱，在254nm（－5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410－430nm）和红光区（746nm）蒌光发射，随着退火温度的升高，荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd^3 特征光发射跃迁（^4F7/2,^4S3/2→^4I9/2），讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。 |
| 关 键 词： | 硅基薄膜 离子注入 Nd^3＋ 结构 光致发光 钕（Ⅲ） MEVVA 金属蒸气真空弧离子源 |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)04-0377-04 |
| 修稿时间： | 2001年9月21日 |
Investigation on the Structure and Photoluminescence Properties of Nd Ion Implanted Silicon Film with Low Flux |
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| ZENG Yu-xin,WANG Shui-feng,CHENG Guo-an,XIAO Zhi-song,XU Fei,YUAN Mei-ling.Investigation on the Structure and Photoluminescence Properties of Nd Ion Implanted Silicon Film with Low Flux[J].Chinese Journal of Luminescence,2002,23(4):377-380. | |
| Authors: | ZENG Yu-xin WANG Shui-feng CHENG Guo-an XIAO Zhi-song XU Fei YUAN Mei-ling |
| Abstract: | |
| Keywords: | ion implantation Nd~(3+) structure photoluminescence |
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