| 用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究 |
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| 引用本文： | 施卫,赵卫,张显斌.用光激开关产生一高功率亚纳秒电脉冲的研究[J].强激光与粒子束,2001,13(6):734-738. |
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| 作者姓名： | 施卫 赵卫 张显斌 |
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| 作者单位： | 西安理工大学应用物理系, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资肋课题(50077017);瞬态光学技术国家重点实验室开放基金资助课题(YAK2002) |
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| 摘 要： | 报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV.分别用ns,ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns,能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A.用重复频率为76MHz和108Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列.
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| 关 键 词： | 光电导开关 超快电脉冲 脉冲功率技术 |
| 文章编号： | 1001-4322(2001)06-0734-05 |
| 修稿时间： | 2001年4月23日 |
Investigation of high power sub-nanosecond electrical pulse generated by GaAs photoconductive switches |
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