| 硅团簇结构和碎片行为的紧束缚理论方法 |
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| 引用本文： | 法伟,罗成林.硅团簇结构和碎片行为的紧束缚理论方法[J].物理学报,2000,49(3):430-434. |
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| 作者姓名： | 法伟 罗成林 |
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| 作者单位： | 1. 南京航空航天大学理学院,南京,210016
2. 南京师范大学物理系,南京,210097 |
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| 摘 要： | 利用紧束缚分子动力学模拟退火方法研究了硅团簇Sin(n=2—14)的结构性质和能量.通过与前人工作结果(Si2—Si10)的比较,发现本理论方法的结果相当准确地再现了从头计算的结论.对较大的硅团簇所作的计算给出了有意义的结构预测.从能量观点出发,计算结果表明原子数分别为4,6,7,10,12和14的硅团簇较为稳定.还进一步研究了硅团簇的碎片行为,理论计算的结果表明较大的硅团簇的稳定碎片产物通常包括一个或两个“幻数”团簇
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| 收稿时间： | 7/1/1999 12:00:00 AM |
STRUCTURE AND FRAGMENTATION OF SILICON CLUSTERS:A TIGHT-BINDING STUDY OF Si2-Si14 |
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| FA WEI,LUO CHENG-LIN.STRUCTURE AND FRAGMENTATION OF SILICON CLUSTERS:A TIGHT-BINDING STUDY OF Si2-Si14[J].Acta Physica Sinica,2000,49(3):430-434. |
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| Authors: | FA WEI LUO CHENG-LIN |
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