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| 薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究 | |
| 引用本文： | 程玉华,魏丽琼,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元.薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究[J].半导体学报,1995,16(7):517-523. |
| 作者姓名： | 程玉华 魏丽琼 孙玉秀 阎桂珍 李映雪 武国英 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变．蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成了电子陷阱电荷（主要分布在漏端附近）所致．文章还对经过Ｌａｔｃｈ应力后，全耗尽ＳＯＩ器件在其他应力条件下的蜕变特性进行了分析． |
| 关 键 词： | 单晶体管 蜕变 MOSFET SOI SIMOX 薄膜 |
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