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单轴应变对石墨烯掺杂硼、氮、铝、硅、磷的影响与调控
引用本文:吴其胜,王子路,王金兰. 单轴应变对石墨烯掺杂硼、氮、铝、硅、磷的影响与调控[J]. 化学学报, 2014, 72(12): 1233-1237. DOI: 10.6023/A14090660
作者姓名:吴其胜  王子路  王金兰
作者单位:东南大学物理系 南京 211189
基金项目:973计划(Nos.2010CB923401,2011CB302004);国家自然科学基金(Nos.21173040,21373045);江苏省自然科学基金(No.BK20130016)资助~~
摘    要:掺杂石墨烯因对石墨烯的性质有良好的修饰作用而备受关注. 掺杂石墨烯的实验合成一直都是研究热点, 但有一个普遍的难题, 就是掺杂困难, 掺杂浓度不高. 针对这一难题, 我们提出了通过对石墨烯施加单轴应变来降低掺杂过程反应形成能, 从而实现石墨烯的有效可控掺杂的可能性. 我们的第一性原理计算结果表明, 在施加应变时, 拉伸应变有利于硼掺杂, 而压缩应变使氮掺杂更容易, 对于铝、硅、磷, 不管是拉伸还是压缩均可以使掺杂更容易. 此外, 我们还进一步揭示了单轴应变对掺杂石墨烯的电子结构及磁性质的影响规律.

关 键 词:石墨烯  掺杂  单轴应变  第一性原理计算  电子结构  磁性  

Strain Engineered Modulation on Graphene Doped with Boron,Nitrogen, Aluminum,Silicon and Phosphorus
Wu Qisheng,Wang Zilu,Wang Jinlan. Strain Engineered Modulation on Graphene Doped with Boron,Nitrogen, Aluminum,Silicon and Phosphorus[J]. Acta Chimica Sinica, 2014, 72(12): 1233-1237. DOI: 10.6023/A14090660
Authors:Wu Qisheng  Wang Zilu  Wang Jinlan
Affiliation:Department of Physics, Southeast University, Nanjing 211189
Abstract:
Keywords:graphene  doping  uniaxial strain  first-principles calculations  electronic structure  magnetism  
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