| 射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性 |
| |
| 引用本文： | 朋兴平,王志光,宋银,季涛,臧航,杨映虎,金运范.射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性[J].中国科学(G辑),2007,37(2):218-222. |
| |
| 作者姓名： | 朋兴平 王志光 宋银 季涛 臧航 杨映虎 金运范 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
2. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000
3. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院科研基金 |
| |
| 摘 要： | 用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜, 用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征, 分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响. 结果表明, 溅射功率100 W, 衬底温度300 ~ 400℃时, 适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长. 在样品的室温光致发光谱中观察到了380 nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的蓝光带, 并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
|
| 关 键 词： | X射线衍射谱 光致发光谱 衬底温度 射频反应溅射 ZnO薄膜 |
| 收稿时间： | 2006-01-18 |
| 修稿时间： | 2006-01-182006-07-10 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》下载免费的PDF全文 |
|
