| 锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究 |
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| 引用本文： | 范缇文,张敬平,P.L.F.Hemment.锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究[J].半导体学报,1993,14(12):734-737. |
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| 作者姓名： | 范缇文 张敬平 P.L.F.Hemment |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，英国Surrey大学电子工程系 北京 100083，北京 100083 |
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| 摘 要： | 本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100~(13)至1×10~(15)/cm~2,离子束流强度为0.046μA/cm~2,注入温度为室温。实验发现,在本工作的离子注入条件下,入射锗离子使硅单晶表面注入层开始非晶化的起始剂量大于0.6×10~(14)/cm~2。形成一个完整匀质表面非晶层所需的临界剂量为1×10~(15)/cm~2。热退火后产生的二次缺陷特性极大地受到退火前样品注入层非晶化程度的影响。
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| 关 键 词： | 单晶硅 非晶化 缺陷 离子注入 |
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