| 二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系 |
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| 引用本文： | 余稳,蔡新华,黄文华,刘国治.二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系[J].强激光与粒子束,2000,12(2):215-218. |
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| 作者姓名： | 余稳 蔡新华 黄文华 刘国治 |
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| 作者单位： | 1. 常德师范学院电子学研究所，湖南常德 415000;2. 西北核技术研究所，西安69信箱710024 |
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| 基金项目： | 国家 8 63激光技术领域，湖南省高校科研青年项目资助课题 |
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| 摘 要： | 利用半导体PN结器件一维模拟程序mPND1D，计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量，并对结果作了初步分析。
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| 关 键 词： | 电磁脉冲 半导体器件 失效和烧毁 时域有限差分 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
RELATIONSHIPS OF DIODE FAILURE AND BURNOUT ENERGY THRESHOLDS WITH RF PARAMETERS |
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| YU Wen,CAI Xin-hua,HUANG Wen-hua,LIU Guo-zhi.RELATIONSHIPS OF DIODE FAILURE AND BURNOUT ENERGY THRESHOLDS WITH RF PARAMETERS[J].High Power Laser and Particle Beams,2000,12(2):215-218. |
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| Authors: | YU Wen CAI Xin-hua HUANG Wen-hua LIU Guo-zhi |
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| Abstract: | By means of the program mPND1D (one dimensional modeling for PN junction devices), the diode failure and burnout energy absorbed have been calculated for different EMP pulsed voltage sources, and the results are analyzed preliminarily. |
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| Keywords: | EMP semiconductor devices failure and burnout FDTD |
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