全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介

随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下，晶体管的尺寸难以进一步缩小，导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点，为满足这些需求，全耗尽绝缘层上硅（Fully Depleted Silicon on Insulator, FDSOI）技术被进一步研发和产品化。对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结。FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能，采用应力优化提高迁移率，通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容，因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品。FDSOI具有巨大的市场潜力，将成为半导体技术一个重要的发展方向。