纳米器件单粒子瞬态仿真研究

利用计算机辅助设计软件，研究了不同条件下28 nm体硅器件的单粒子瞬态（SET）效应，分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响。随着器件漏极间距的减小，SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小。与垂直入射的情况相比，倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显，电荷共享效应更加显著。仿真结果表明，合理调节反相器相异节点的器件间距，利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲，减少单粒子效应的反应截面。