| 应变Ge1-yCy合金的带隙 |
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| 引用本文： | 吴丽清,郭亨群,黄美纯,朱梓忠.应变Ge1-yCy合金的带隙[J].华侨大学学报(自然科学版),2002,23(1):19-22. |
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| 作者姓名： | 吴丽清 郭亨群 黄美纯 朱梓忠 |
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| 作者单位： | 1. 华侨大学信息科学与工程学院,泉州,362011
2. 厦门大学物理系,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家高技术发展计划基金资助项目，福建省青年科技人才创新科研基金资助项目，华侨大学科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法，研究Si(001)和Ge（001）衬底上的应变Ge1-yCy合金，其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况。结果发现，带隙对应变条件非常敏感。硅衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而增加，而锗衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随炭组分的增加而减小。
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| 关 键 词： | 从头赝势法 带隙 硅衬底 锗衬底 碳含量 晶格失配度 能带结构 半导体材料 应变Ge1－yCy合金 |
| 文章编号： | 1000-5013(2002)01-019-04 |
| 修稿时间： | 2001年10月15 |
Band Gap of Strained Ge1-yCy Alloy |
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| Abstract: | A theoretical study is made on the change of the band gaps of strain Ge 1-yC y alloy grown on Si(001) and Ge(001) substrates with carbon content and lattice mismatch. The study is made by adopting ab initio pseudopotential method which is based on local density functional theory and is under virtual-crystal approximation. As discovered by the results, the band gap is very sensitive to strain condition. The band gap of strain Ge 1-yC y alloy on Si substrate increases with the increase of carbon constituent, whereas the band gap of strain Ge 1-yC y alloy Ge substrate decreases with the increase of carbon constituent. |
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| Keywords: | Ge 1-yC y ab initio pseudopotential method strain band gap |
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