| H4SiW12O40和双偶极Ru(II)配合物形成的静电自组装多层膜 |
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| 引用本文： | 张玉琦,高丽华,段智明,王科志,王业亮,高鸿钧.H4SiW12O40和双偶极Ru(II)配合物形成的静电自组装多层膜[J].化学学报,2004,62(7):738-741. |
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| 作者姓名： | 张玉琦 高丽华 段智明 王科志 王业亮 高鸿钧 |
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| 作者单位： | 北京师范大学化学系,北京,100875;北京工商大学化学与环境工程学院,北京,100037;中国科学院物理研究所纳米器件与物理实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(Nos.20071004和20371008)、教育部留学回国人员启动基金和北京市优秀人才培养专项基金资助项目. |
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| 摘 要： | 制备了含有H4SiW12O40和双偶极Ru(II)配合物交替层的一个新颖静电自组装多层膜.用紫外可见光谱、循环伏安学、原子力显微镜对薄膜进行了表征和性质研究.结果表明膜沉积平稳、均匀,所制得的薄膜具有较好的电化学活性.AFM图像表明钌(II)配合物和H4SiW12O40层具有明显不同的微区结构.
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| 关 键 词： | 自组装膜 硅钨酸 钌(II)配合物 |
| 修稿时间： | 2003年8月7日 |
Self-assembled Multilayer Film Formed by Alternating Layers of H4SiW12O40 and a Dipolar Ru(II) Complex |
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| Abstract: | A new self-assembled multilayer film has been prepared by alternating electrostatic adsorption of H 4SiW 12~O 40 and a dipolar Ru(II) complex, and characterized by UV-visible spectroscopy and cyclic voltammetry. The results showed that the film was uniform and electrochemically active, and the charge transfer may occur between H 4SiW 12O 40 and the Ru(II) complex in the film. Atomic force microscopy images indicated that the morphologies of outer Ru(II) complex and H 4SiW 12O 40 layers were of distinctly different domain structures. |
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| Keywords: | self-assembled film silicotungstic acid ruthenium(II) complex |
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