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| 激光直写邻近疗效应的校正 | |
| 作者姓名： | 杜惊雷 邱传凯 |
| 作者单位： | [1]四川大学物理系 [2]中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家开放实验室 |
| 摘 要： | 邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素，它也限制了激光直写在亚微米和亚半微微米光刻中的应用，分析了激光直写邻近效应产生的原因，指出它和电子束直写及投影光刻的区别，提出了一种简便有效的邻近校正方法，实验表明，通过光学邻近校正（ＯＰＣ），利用微米级激光直写系统，制作出０．６μｍ的实用光刻线条。 |
| 关 键 词： | 激光直写 亚微米 邻近效应 光学邻近校正 光刻 |
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