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| 采用超晶格的太阳盲紫外光电探测器 | |
| 引用本文： | 高国龙.采用超晶格的太阳盲紫外光电探测器[J].红外,2003(9):22-22. |
| 作者姓名： | 高国龙 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 美国得克萨斯技术大学的研究人员目前正在利用大带隙器件中的短周期晶格的结特性制作基于A1GaInN的太阳盲紫外光电探测器。这种紫外光电探测器具有较高的AIN含量(AIN含量越高,器件可响应的波长就越短),其超晶格的周期为1.4nm,这可以形成260nm的有效带隙。 |
| 关 键 词： | 超晶格 太阳盲紫外光电探测器 技术特性 有效带隙 反向漏泄电流 |
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