| SITH耐压容量的控制和调节 |
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| 引用本文： | 姚琢,薛伟东,刘肃. SITH耐压容量的控制和调节[J]. 兰州大学学报(自然科学版), 2001, 37(5): 42-47 |
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| 作者姓名： | 姚琢 薛伟东 刘肃 |
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| 作者单位： | 1. 青海师范高等专科学校电子工程系,
2. 兰州大学物理科学与技术学院, |
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| 基金项目： | 甘肃省自然科学基金 (ZS0 0 1- A2 5 - 0 4 4 - C)资助项目 |
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| 摘 要： | 分析了SITH结构的掺杂电阻率、N－基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响，分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅－阴极击穿电压的影响，讨论了如何进行正向阻断电压和栅－阴极击穿电压的控制和调节。
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| 关 键 词： | SITH 正向阻断电压 栅阴击穿电压 静电感应晶闸管 耐压容量 |
| 文章编号： | 0455-2059(2001)05-0042-06 |
| 修稿时间： | 2001-04-25 |
Control and Adjustment for Voltage Capacity of SITH |
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| Yao Zhuo ,Xue Weidong,Liu Su. Control and Adjustment for Voltage Capacity of SITH[J]. Journal of Lanzhou University(Natural Science), 2001, 37(5): 42-47 |
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| Authors: | Yao Zhuo Xue Weidong Liu Su |
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| Affiliation: | Yao Zhuo 1,Xue Weidong,Liu Su 2 |
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| Abstract: | It is discussed that the forward blacking voltage is affected by resistivity, N base region thickness, channel thickness and terminal structure of SITH structure doping region. The gate cathode breakdown voltage is influenced by lateral diffusion, channel size, epitaxial layer and related elements of SITH structure. How to control and adjust the forward blocking voltage and the gate cathode breakdown voltage has been discussed. |
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| Keywords: | SITH forward blocking voltage gate cathode breakdown voltage |
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