| 60Coγ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响 |
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| 引用本文： | 杨丽侠,杜磊,包军林,庄奕琪,陈晓东,李群伟,张莹,赵志刚,何亮.60Coγ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响[J].物理学报,2008,57(9). |
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| 作者姓名： | 杨丽侠 杜磊 包军林 庄奕琪 陈晓东 李群伟 张莹 赵志刚 何亮 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，陕西省西安市科技计划 |
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| 摘 要： | 在肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响.研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因.正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效.由此可知,1/f噪声特性可以用作SBD辐照损伤机理的研究工具,并有可能用于SBD抗辐射加固的无损评估.
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| 关 键 词： | 肖特基二极管 1/f噪声 60Coγ射线 界面态 |
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